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PNY

Memoria RAM PNY MD4GSD42666 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19

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Tecnología: DDR4
Voltaje:
- 1.2 V
- 1,2 V
Tipo: Memoria (RAM)
Latencia: CL19
Conexiones: DIMM
Memoria RAM: 4 GB RAM
Velocidad: 2666 MHz
Tipo de Memoria: DDR4
Compatible: PC/Server
Capacidad: 4 GB

PNY Performance. Componente para: PC/servidor, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Latencia CAS: 19

Memoria interna: 4 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
Tipo de memoria interna: DDR4
Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz
Componente para: PC/servidor
Latencia CAS: 19
Canales de memoria: Single-channel
Voltaje de memoria: 1.2 V
Tipo de embalaje: Ampolla

General Product Safety Regulations information:
PNY Technologies Europe
ZAC du Phare/ 9 rue Joseph Cugnot/ BP 40181/ 33708 Mérignac Cedex France
33708 - Mérignac
tech-sup@pny.eu
https://www.axs-group.com