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PNY

Memoria RAM PNY MD4GSD42666 4 GB DDR4 2666 MHz CL19 40 g 4 GB DDR4 2666 MHz CL19

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  • Tecnología: DDR4
  • Voltaje:
    • 1.2 V
    • 1,2 V
  • Tipo: Memoria (RAM)
  • Latencia: CL19
  • Conexiones: DIMM
  • Memoria RAM: 4 GB RAM
  • Velocidad: 2666 MHz
  • Tipo de Memoria: DDR4
  • Compatible: PC/Server
  • Capacidad: 4 GB

PNY Performance. Componente para: PC/servidor, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Latencia CAS: 19


  • Memoria interna: 4 GB
  • Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
  • Tipo de memoria interna: DDR4
  • Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz
  • Componente para: PC/servidor
  • Latencia CAS: 19
  • Canales de memoria: Single-channel
  • Voltaje de memoria: 1.2 V
  • Tipo de embalaje: Ampolla


General Product Safety Regulations information:
PNY Technologies Europe
ZAC du Phare/ 9 rue Joseph Cugnot/ BP 40181/ 33708 Mérignac Cedex France
33708 - Mérignac
tech-sup@pny.eu
https://www.axs-group.com